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但在中MOSFET及IGBT主流器件市场上，90％主要依赖进口，基本被国外欧美、日本企业垄断。国外企业如英飞凌、ABB、三菱等厂商研发的IGBT器件产品规格涵盖电压600V-6500
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而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的，又称为FWD（续流二极管）。二者内部结构不同MOSFET的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。IGBT的三个极分别是集电极
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辽宁好的英飞凌IGBT销售厂 江苏芯钻时代电子科技供应 江苏芯钻时代电子科技供应
igbt芯片的边缘还设置有终端保护区域，其中，终端保护区域包括在n型耐压漂移层上设置的多个p+场限环或p型扩散区；从而通过多个p+场限环或p型扩散区对igbt芯片进行耐压保护，在实际
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IGBT功率模块如何选择？在说IGBT模块该如何选择之前，小编先带着大家了解下什么是IGBT？IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransis
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导语：如今我们的生活越来越离不开电力了，我们大家都知道，不当的使用电力是会对我们的人身安全带来隐患的，所以，我们的家庭中一般都会安装一些对于电压的保护装置。其中常见的便是熔断器了，如
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