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2023-05
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作为工作区域10和电流检测区域20的公共集电极单元200。此外，当空穴收集区8内设置有沟槽时，如图10所示，此时空穴收集区8中的沟槽与空穴收集区电极金属3接触，即接触多晶硅13。可选
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2023-05
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IGBT与MOSFET的开关速度比较因功率MOSFET具有开关速度快，峰值电流大，容易驱动，安全工作区宽，dV/dt耐量高等优点，在小功率电子设备中得到了广泛应用。但是由于导通特性受
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2023-05
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术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示
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2023-05
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B）车载空调控制系统小功率直流/交流(DC/AC)逆变，使用电流较小的IGBT和FRD；C）充电桩智能充电桩中IGBT模块被作为开关元件使用；2）智能电网IGBT广泛应用于智能电网的
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本实用新型将整流桥和系统其他功能芯片集成封装，节约系统多芯片封装成本，并有助于系统小型化，上海质量西门康整流桥模块代理品牌。综上所述，本实用新型提供一种合封整流桥的封装结构及电源模组，包括：塑封体，设置于所述塑封体边缘的火线管脚，
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