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2023-03
星期 四
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低压mos管与高压mos管的区别是什么？如何分类？一、MOS的构造MOS管的构造是在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝
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2023-03
星期 四
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器件的结温等于大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个式子可解出系统的大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。我们已将要通过器件的
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2023-03
星期 四
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且在门极伏安特性的可靠触发区域之内；④应有良好的抗干扰能力、温度稳定性及与主电路的电气隔离；⑤触发脉冲型式应有助于晶闸管元件的导通时间趋于一致。在高电压大电流晶闸管串联电路中，要求串
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2023-03
星期 三
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对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是
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2023-03
星期 三
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这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成
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