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    mos管导通电阻mos管导通特性与条件(一)mos管导通特性金属-氧化层半导体场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effe

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可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上,可控硅的功用不仅是整流,它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路,实现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电,等

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3、满足可控硅模块工作的必要条件:(1)+12V直流电源:可控硅模块内部控制电路的工作电源。①可控硅模块输出电压要求:+12V电源:12±0.5V,纹波电压小于20mv。②可控硅模块输出电流要求:标称电流小于500安培产品:I+1

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    早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。中文名可控硅模块外文名semiconductormod

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随着IGBT芯片技术的不断发展,芯片的比较高工作结温与功率密度不断提高,IGBT模块技术也要与之相适应。未来IGBT模块技术将围绕芯片背面焊接固定与正面电极互连两方面改进。模块技术发展趋势:无焊接、无引线键合及无衬板/基板封装技术

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