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 所述逻辑电路的采样端口作为所述控制芯片12的采样端口cs,高压端口作为所述控制芯片12的高压端口hv,接地端口作为所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12设置于所述采样基岛18上,接地端口gnd连接所述信号地

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  所述负载连接于所述第三电容c3的两端。具体地,在本实施例中,所述负载为led灯串,所述led灯串的正极连接所述高压供电管脚hv,负极连接所述第三电容c3与所述一电感l1的连接节点。如图4所示,所述第二采样电

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则指给定反向漏电流条件下的电压值。(5)高工作频率fm:它是二极管在正常情况下的高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定,若工作频率超过fm,则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz

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其中有一条就是温度高低变化时三极管的静态电流不能改变,即VT1基极电流不能随温度变化而改变,否则就是工作稳定性不好。了解放大器的这一温度特性,对理解VD1构成的温度补偿电路工作原理非常重要。2)三极管VT1有一个与温度相关的不良特

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整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿)。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,

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