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2023-07

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本实用新型将整流桥和系统其他功能芯片集成封装,节约系统多芯片封装成本,并有助于系统小型化。综上所述,本实用新型提供一种合封整流桥的封装结构及电源模组,包括:塑封体,设置于所述塑封体边缘的火线管脚、零线管脚、高压供电管脚、信号地管脚

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  所述负载连接于所述第三电容c3的两端。具体地,在本实施例中,所述负载为led灯串,所述led灯串的正极连接所述高压供电管脚hv,负极连接所述第三电容c3与所述一电感l1的连接节点。如图4所示,所述第二采样电

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  假设其PCB板的实际有效散热面积为整流桥表面积的2倍,则PCB板与环境间的传热热阻为:故,通过整流桥引脚这条传热途径的热阻为:比较上述两种传热途径的热阻可知:整流桥通过壳体表面自然对流冷却进行散热的热阻()

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所述第六电容c6的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv,另一端连接所述合封整流桥的封装结构1的电源地管脚bgnd。具体地,所述第二电感l2连接于所述合封整流桥的封装结构1的电源地管脚bgnd与信号地管脚gnd之间。

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    1979年,MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构(P-N-P-N四层组成),其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。80年

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