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本实用新型涉及半导体器件领域,特别是涉及一种合封整流桥的封装结构及电源模组。背景技术:目前照明领域led驱动照明正在大规模代替节能灯的应用,由于用量十分巨大,对于成本的要求比较高。随着系统成本的一再降低,主流的拓扑架构基本已经定型

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故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0晶闸管处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下,从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提高其电流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结,并提高了PN

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对于每一种材料它是一个常数。当熔体金属变为蒸气时电弧始燃,在燃弧过程中电流由限流值降至零,此阶段的I2t即为熔断I2t,它是一个变量。这一过程主要依靠填料被腐蚀而吸收能量。在设计快速熔断器时,为满足半导体器件不断提高的额定电流,要

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且在门极伏安特性的可靠触发区域之内;④应有良好的抗干扰能力、温度稳定性及与主电路的电气隔离;⑤触发脉冲型式应有助于晶闸管元件的导通时间趋于一致。在高电压大电流晶闸管串联电路中,要求串联的元件同一时刻导通,宜采用强触发的形式。[1]

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塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。晶闸管晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、**率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常,大功率晶闸管多采用陶瓷封装,而中、小功率晶闸管则多采用塑封或金属封装。晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管

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