本发明有关于一种高功率模块的制备方法,尤指一种含有两种不同尺寸的银粒子的银基奈米浆料,特别是指搭配全新非接触式探针点胶技术进行涂布而可避免破坏基板,并经热压烧结后形成的热接口材料。背景技术::近年环保意识抬头,无铅电子封装材料将为未来环保趋势,故目前商用的硅基高功率模块的热接口材料(thermalinterfacematerials,tim)主要是以锡银铜(sn-ag-cu)合金为封装材料。然而,次世代高功率模块将以碳化硅(sic)与氮化镓(gan)为主要材料,且工作温度高于150℃。在此高温下,锡银铜合金容易形成易脆裂的介金属化合物。而高功率模块在长时间的热循环下所累积的剪应力将会导致此介金属化合物的破裂,进而使得模块因散热不良而失效。参考数百笔后,统整现有技术如下:1.作为焊接用途:为减少铅、镉等危害物质的用量,发明一种无铅焊料合金,以锌(zn)作为主成份及铝(al)作为合金金属制成,并将其用于机械连接或电子应用中。简言之,包含锌作为主成分及铝作为合金金属的无铅共晶焊料合金。2.用于太阳能及接合:制作焊接合用层合体,由金属奈米粒子烧结体层(含有平均粒径为1μm~100nm的银奈米粒子)、黏结剂层、含有金属氧化物粒子的障壁层、及金锡。
该igbt芯片上设置有:工作区域、电流检测区域和接地区域;其中,igbt芯片还包括一表面和第二表面,且,一表面和第二表面相对设置;一表面上设置有工作区域和电流检测区域的公共栅极单元,以及,工作区域的一发射极单元、电流检测区域的第二发射极单元和第三发射极单元,其中,第三发射极单元与一发射极单元连接,公共栅极单元与一发射极单元和第二发射极单元之间通过刻蚀方式进行隔开;第二表面上设有工作区域和电流检测区域的公共集电极单元;接地区域设置于一发射极单元内的任意位置处;电流检测区域和接地区域分别用于与检测电阻连接,以使检测电阻上产生电压,并根据电压检测工作区域的工作电流。第二方面,本发明实施例还提供一种半导体功率模块,半导体功率模块配置有一方面的igbt芯片,还包括驱动集成块和检测电阻;其中,驱动集成块与igbt芯片中公共栅极单元连接,以便于驱动工作区域和电流检测区域工作;以及,还与检测电阻连接,用于获取检测电阻上的电压。本发明实施例带来了以下有益效果:本发明实施例提供了igbt芯片及半导体功率模块,igbt芯片上设置有:工作区域、电流检测区域和接地区域;其中,igbt芯片还包括一表面和第二表面,且。
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