采用本实用新型ipm模块短路检测电路和现有退饱和检测电路对ipm模块进行短路检测,结果如图3所示,图3中,纵轴vce为ipm模块集电极与发射极之间的电压,横轴为时间,该图中上面的虚线表示ipm模块发生短路故障后,其集电极与发射极之间电压随时间的变化趋势;中间实线表示ipm模块正常工作时,即没有发生短路时,其其集电极与发射极之间电压随时间的变化趋势;底部虚线表示现有退饱和检测电路设置的阈值电压vref随时间的变化趋势;在ipm模块发生短路时,本实用新型ipm模块短路检测电路测试出短路故障所需时间为t1,现有退饱和检测电路测试出短路故障所需时间为t2,从图3中可看出,t2≈2t1,表明本实用新型ipm模块短路检测电路所需检测时间较短,在ipm模块发生短路时能及时关断ipm模块,避免了ipm模块内部芯片发生损坏,提高了ipm模块的可靠性和使用寿命。
对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本发明实施例提供的一种igbt器件的结构图;图2为本发明实施例提供的一种电流敏感器件的结构图;图3为本发明实施例提供的一种kelvin连接示意图;图4为本发明实施例提供的一种检测电流与工作电流的曲线图;图5为本发明实施例提供的一种igbt芯片的结构示意图;图6为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的结构示意图;图7为本发明实施例提供的一种igbt芯片的表面结构示意图;图8为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图;图9为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图;图10为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图;图11为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图;图12为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图;图13为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图;图14为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图;图15为本发明实施例提供的一种半导体功率模块的结构示意图;图16为本发明实施例提供的一种半导体功率模块的连接示意图。图标:1-电流传感器;10-工作区域;101-一发射极单元。
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