江西贸易Mitsubishi三菱IGBT模块销售厂 江苏芯钻时代电子科技供应

    由形成于半导体衬底表面的一导电类型轻掺杂区组成。第二导电类型掺杂的阱区，形成于所述漂移区表面。在所述漂移区的底部表面形成有由第二导电类重掺杂区组成的集电区。电荷存储层，所述电荷存储层形成于所述漂移区的顶部区域且位于所述漂移区和所述阱区交界面的底部，所述电荷存储层具有一导电类重掺杂；所述电荷存储层用于阻挡第二导电类载流子从所述漂移区中进入到所述阱区中。多个沟槽，各所述沟槽穿过所述阱区和所述电荷存储层且各所述沟槽的进入到所述漂移区中；一个所述igbt器件的单元结构中包括一个栅极结构以及形成于所述栅极结构两侧的第二屏蔽电极结构，在所述栅极结构的每一侧包括至少一个所述第二屏蔽电极结构。所述栅极结构包括形成于一个对应的所述沟槽中的一屏蔽多晶硅和多晶硅栅的叠加结构，所述一屏蔽多晶硅组成一屏蔽电极结构。所述多晶硅栅位于所述一屏蔽多晶硅的顶部，所述一屏蔽多晶硅和对应的所述沟槽的底部表面和侧面之间通过一屏蔽介质层隔离，所述一屏蔽多晶硅和所述多晶硅栅之间通过多晶硅间介质层隔离，所述多晶硅栅和所述沟槽的侧面之间通过栅介质层隔离。所述第二屏蔽电极结构由填充于所述栅极结构两侧的所述沟槽中的第二屏蔽多晶硅组成。

    一个所述单元结构中包括5个所述沟槽101，在所述栅极结构的每一侧包括二个所述第二屏蔽电极结构。所述沟槽101的步进d1为1微米～3微米。步骤三、如图3b所示，在各所述沟槽101的底部表面和侧面形成一介质层3。如图3c所示，之后再在各所述沟槽101中填充一多晶硅层4，将所述一多晶硅层4回刻到和所述半导体衬底表面相平。步骤四、如图3d所示，采用光刻工艺将栅极结构的形成区域打开，将所述栅极结构的形成区域的所述沟槽101顶部的所述一多晶硅层4和所述一介质层3去除。步骤五、如图3d所示，在所述栅极结构的形成区域的所述沟槽101的顶部侧面形成栅介质层5以及所述一多晶硅层4的顶部表面形成多晶硅间介质层5a。步骤六、如图3d所示，在所述栅极结构的形成区域的所述沟槽101的顶部填充第二多晶硅层6，由所述第二多晶硅层6组成多晶硅栅6；所述多晶硅栅6底部的所述一多晶硅层4为一屏蔽多晶硅4a并组成一屏蔽电极结构，所述一屏蔽多晶硅4a侧面的所述一介质层3为一屏蔽介质层3a。在所述栅极结构两侧的所述沟槽101中的所述一多晶硅层4为第二屏蔽多晶硅4b并组成第二屏蔽电极结构，所述第二屏蔽多晶硅4b侧面的所述一介质层3为第二屏蔽介质层3b。

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