内蒙古品质Mitsubishi三菱IGBT模块供应商 江苏芯钻时代电子科技供应

    附图说明图1为本发明结构示意图；图2为本发明限压电路结构示意图。图中：100限压电路、110一齐纳二极管、120第二齐纳二极管、200控制电路、300限流电路。具体实施方式下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。本发明提供一种igbt驱动电路，将分立器件实现的限压电路集成在芯片中，节省了面积，降低了成本，将限压电路与igbt的驱动电路结合在一个功能块里进一步节省了面积和成本，同时借助igbt的驱动电路中的电阻限制了限压支路的电流，降低了功耗，保护了驱动芯片的安全，请参阅图1，包括限压电路100、控制电路200和限流电路300；请参阅图1-2，限压电路100包括：一齐纳二极管110；第二齐纳二极管120与一齐纳二极管110串联，两个齐纳二极管的选择由驱动输出限压的大小决定；请再次参阅图1，控制电路200包括限压电路控制输入lp、电阻r2、下拉电阻r3和控制管n3，限压电路控制输入lp与电阻r2串联，电阻r2与控制管n3相串联。

    所述阱区形成于所述漂移区表面的所述硅外延层中。进一步的改进是，令各所述第二屏蔽多晶硅顶部对应的接触孔为屏蔽接触孔。在各所述单元结构中，所述源极接触孔和邻近的一个所述屏蔽接触孔合并成一个接触孔，邻近的所述屏蔽接触孔外侧的所述屏蔽接触孔呈结构。或者，在各所述单元结构中，所述源极接触孔和各所述屏蔽接触孔连接成一个整体结构。进一步的改进是，所述一屏蔽介质层和所述第二屏蔽介质层的工艺条件相同且同时形成，所述一屏蔽多晶硅和所述第二屏蔽多晶硅的工艺条件相同且同时形成。进一步的改进是，一个所述单元结构中包括5个所述沟槽，在所述栅极结构的每一侧包括二个所述第二屏蔽电极结构。进一步的改进是，所述沟槽的步进为1微米～3微米。进一步的改进是，在所述漂移区和所述集电区之间形成有由一导电类型重掺杂区组成的电场中止层。进一步的改进是，所述igbt器件为n型器件，一导电类型为n型，第二导电类型为p型；或者，所述igbt器件为p型器件，一导电类型为p型，第二导电类型为n型。为解决上述技术问题，本发明提供的igbt器件的制造方法包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成由一导电类型轻掺杂区组成的漂移区。

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