从而实际强触发,加速了元件的导通,提高了耐电流上升率的能力。三、能耐较高的电压上升率(dv/dt)晶闸管是由三个P—N结组成的。每个结相当于一个电容器。结电压急剧变化时,就有很大的位移电流流过元件,它等效于控制极触发电流的作用。可能使晶闸管误导通。这就是普通晶闸管不能耐高电压上升率的原因。为了有效防止上述误导通现象发生,快速晶闸管采取了短路发射结结构。把阴极和控制极按一定几何形状短路。这样一来,即使电压上升率较高,晶闸管的电流放大系数仍几乎为零,不致使晶闸管误导通。只是在电压上升率进一步提高,结电容位移电流进一步增大,在短路点上产生电压降足够大时,晶闸管才能导通。具有短路发射结结构的晶闸管,用控制极电流触发时,控制极电流首先也是从短路点流向阴极。只是当控制极电流足够大,在短路点电阻上的电压降足够大,PN结正偏导通电流时,才同没有短路发射结的元件一样,可被触发导通。因此,快速晶闸管的抗干扰能力较好。快速晶闸管的生产和应用都进展很快。目前,已有了电流几百安培、耐压1千余伏,关断时间*为20微妙的大功率快速晶闸管,同时还做出了**高工作频率可达几十千赫兹供高频逆变用的元件。
4.可关断晶闸管可关断晶闸管亦称门控晶闸管。其主要特点是,当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点,以具有自关断能力,使用方便,是理想的高压、大电流开关器件。它的容量及使用寿命均超过巨型晶体管。目前,大功率可关断晶闸管已广用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域,显示出强大的生命力。5.光控晶闸管光控晶闸管又称光触发晶闸管,是一种光敏器件。由于其控制信号来自光的照射,没有必要再引出控制极,所以只有两个电极(阳极A和阴极K),结构与普通可控硅一样,是由四层PNPN器件构成。图2光控晶闸管符号图当在光控晶闸管的阳极加上正向电压,阴极加上负向电压时,控晶闸管可以等效成的电路。光控晶闸管的基本特性与普通晶闸管是相同的,只是它对光源的波长有一定的要求,有选择性。波长在0.8——0.9um的红外线及波长在1um左右的激光,都是光控晶闸管较为理想的光源。晶闸管的应用晶闸管是一种开关元件,具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作。它基本的用途就是可控整流,其工作过程可以控制,具有体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点。基于上述特点。
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