1）.过压击穿可控硅不能承受电压而损坏，可控硅对过压的承受能力几乎没有时间的，即使在几毫秒的短时间内过压也会被击穿。过压击穿特征：芯片中有一个光洁的小孔。检查可控硅两端RC吸收回路是否有烧坏或失效的，即可避免干扰脉冲所引起的瞬间过压。（2）过流击穿电流超过额定电流，并在可控硅芯片内部产生热效应，使芯片温度升高，失效且不能恢复。过流击穿特征：电子元器件表面有烧焦现象，痕迹特征是芯片出现坑洞。选择可控硅耐压2~3倍。（3）过热击穿工作电流并不超过可控硅额定电流的情况下而发生的热击穿。特征：电子元器件表面有烧焦现象，痕迹特征是芯片出现坑洞。注意环境温度，保持可控硅与散热器之间的接触面良好。11.可控硅电压说明功率器件的耐压与市电输入电压有直接关系，通常情况下，功率器件的耐压是市电输入电压的三倍。故，正反向耐压计算公式为：输入电压×3=功率器件的額定电压。例如：中国的市电两相输入电压为180V~240V，国标是以220V为标准值，功率器件在计算其耐压时是取平均值的，即以200V为基准，则计算公司为：200V×3≈600V，三相电输入的280V～380V，三相电的应用主要是电机电路，电压落差也很大。故功率器件取其平均值也分几个档次：265V。
可控硅(SCR是可控硅整流器的简称。可控硅有单向、双向、可关断和光控几种类型。它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点，被用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于小维持电流以下。
江苏芯钻时代电子科技有限公司，专业从事电气线路保护设备和电工电力元器件模块的服务与销售，具有丰富的熔断器、电容器、IGBT模块、二极管、可控硅、IC类销售经验的专业公司。公司以代理分销艾赛斯、英飞凌系列、赛米控系列，富士系列等模块为主，同时经营销售美国巴斯曼熔断器、 西门子熔断器、美尔森熔断器、力特熔断器等电气保护。
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