整流桥模块特点:
1、铝基导热底板:其功能为陶瓷覆铝板(DBC基板)提供联结支撑和导热通道,并作为整个模块的结构基础。因此,它必须具有高导热性和易焊性。由于它要与DBC基板进行高温焊接,又因它们之间热线性膨胀系数铝为16.7×10-6/℃,DBC约不5.6×10-6/℃)相差较大,为此,除需采用掺磷、镁的铜银合金外,并在焊接前对铜底板要进行一定弧度的预弯,这种存在s一定弧度的焊成品,能在模块装置到散热器上时,使它们之间有充分的接触,从而降低模块的接触热阻,保证模块的出力。
pwm_l信号为低电平时,c2通过r2充电,r2,c2构成死区延时td。当pwm_h信号为高电平时,c3通过d3快速放电,pwm_l信号为低电平时,c3通过r3充电,r3,c3构成死区延时td。其中v1输入采用cmos施密特与非门,可以提高输入信号门槛电压,提高信号抗干扰能力。上管驱动电路由r11,q3,q4,r8构成推挽放大电路,对光耦输出信号u2_out信号进行放大,上管驱动信号drv_h直接连接igbt模块上管门极hg,满足igbt模块对于驱动峰值电流的需求。下管驱动电路由r17,q5,q6,r18构成推挽放大电路,对光耦输出信号u4_out信号进行放大,下管驱动信号drv_l直接连接igbt模块下管门极lg,满足igbt模块对于驱动峰值电流的需求。上管vce-sat检测电路由r9,d11,r10构成vce-sat采样电路:当驱动信号drv_h为高电平(15v)时,通过电阻和igbt模块导通压降vce-sat的分压原理:,采样信号vce_h,r13和r14构成分压电路(通过r13和r14设定保护值),比较信号comp_h,通过vce_h与comp_h的比较实现vce饱和压降的检测,并输出故障信号fault_h:当vce_h小于comp_h,fault_h为高电平,正常状态;当vce_h大于comp_h,fault_h为低电平,报故障状态;当驱动信号drv_l为低电平(-15v)时。
江苏芯钻时代电子科技有限公司,专业从事电气线路保护设备和电工电力元器件模块的服务与销售,具有丰富的熔断器、电容器、IGBT模块、二极管、可控硅、IC类销售经验的专业公司。公司以代理分销艾赛斯、英飞凌系列、赛米控系列,富士系列等模块为主,同时经营销售美国巴斯曼熔断器、 西门子熔断器、美尔森熔断器、力特熔断器等电气保护。
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