降低本征JFET的影响,和使用元胞设计几何图形,从而达到以上的目标。对两种1200VNPTIGBT进行比较:一种是其他公司的需负偏置关断的器件,一种是IR公司的NPT单正向栅驱动IRGP30B120KD-E。测试结果表明其他公司的器件在源电阻为56?下驱动时,dV/dt感生电流很大。比较寄生电容的数据,IR器件的三种电容也有减小:输入电容,CIES减小25%输出电容,COES减小35%反向传输电容,CRES减小68%图4寄生电容比较图5显示出IR器件的减小电容与V的关系,得出的平滑曲线是由于减小了JFET的影响。当V=0V时,负偏置栅驱动器件的C为1100pF,IRGP30B120KD-E只有350pF,当VCE=30V时,负偏置栅驱动器件的C为170pF,IRGP30B120KD-E的CRES为78pF。很明显,IRGP30B120KD-E具有非常低的C,因此在相同的dV/dt条件下dV/dt感生电流将非常小。图5IRGP30B120KD-E寄生电容与VCE的关系图6的电路用来比较测试两种器件的电路性能。两者的dV/dt感生电流波形也在相同的dV/dt值下得出。图6dV/dt感生开通电流的测试电路测试条件:电压率,dV/dt=直流电压,Vbus=600V外部栅到发射极电阻Rg=56?环境温度。
是否受热损坏。(如果损坏已变形或烧熔)6.检测芯片8316是否击穿:测量方法:用万用表测量8316引脚,要求1和2;1和4;7和2;7和4之间不能短路。7.IGBT处热敏开关绝缘保护是否损坏。按键动作不良的检测测量CPU口线是否击穿:二、按键动作不良用万用表二极管档测量CPU极与接地端,均有,万用表红笔接“地”;黑笔接“CPU每一极口线”。否则,说明CPU口线击穿。三、功率不能达到到要求1.线圈盘短路:测试线圈盘的电感量:PSD系数为L=157±5µH,PD系列为L=140±5µH。2.锅具与线圈盘距离是否正常。3.锅具是否是指定的锅具。四、检查各元气件是否松动,是否齐全。装配后不良状况的检查:1.不加热:检查互感器是否断脚。2.插电后长鸣:检查温度开关端子是否接插良好。楼3.无法开机:检查热敏电阻端子是否接插良好。4.无小物检知(不报警):检查电阻R301~R307是否正常。R301~R302为68KΩR303~R306为130KΩR307为Ω5.风扇不转;检查三极管Q2是否烧坏。(一般烧坏三极管引脚跟部已发黄;也可用万用表二极管档测量)[本帖***由严朝基于2009-1-1209:51编辑]赞赏共11人赞赏本站是提供个人知识管理的网络存储空间,所有内容均由用户发布,不**本站观点。如发现有害或侵权内容。
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