α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。晶闸管晶体闸流管（英语：Thyristor），简称晶闸管，指的是具有四层交错P、N层的半导体装置。**早出现与主要的一种是硅控整流器（SiliconControlledRectifier，SCR），中国大陆通常简称可控硅，又称半导体控制整流器，是一种具有三个PN结的功率型半导体器件，为***代半导体电力电子器件的**。晶闸管的特点是具有可控的单向导电，即与一般的二极管相比，可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流（电压）控制大电流（电压）作用，并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点，***用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。发展历史/晶闸管编辑半导体的出现成为20世纪现代物理学其中一项**重大的突破，标志着电子技术的诞生。而由于不同领域的实际需要，促使半导体器件自此分别向两个分支快速发展，其中一个分支即是以集成电路为**的微电子器件，特点为小功率、集成化，作为信息的检出、传送和处理的工具；而另一类就是电力电子器件，特点为大功率、快速化。1955年。
这对晶闸管是非常危险的。开关引起的冲击电压分为以下几类：（1）AC电源被切断过电压而产生例如，交流以及开关的开闭、交流侧熔断器的熔断等引起的过电压，这些系统过电压问题由于我国变压器内部绕组的分布进行电容、漏抗造成的谐振控制回路、电容分压等使过电压数值为正常值的2至10多倍。一般地，开闭运动速度越来越快过电压能力越高，在空载情况下可以断开回路设计将会有更高的过电压。（2）直流侧产生的过电压如果截止电路的电感很大或者截止电路的电流值很大，就会产生较大的过电压。这种情况经常出现在切断负荷、导通晶闸管开路或快速熔断器熔断时，引起电流突变。（3）换相冲击电压包括换相过电压和换相振荡过电压。换相过电压是由于晶闸管的电流降为0时器件内部各结层残存载流子复合所产生的，所以又叫载流子积蓄效应引起的过电压。换相过电压之后，出现换相振荡过电压，它是由于电感、电容形成共振产生的振荡电压，其值与换相结束后的反向电压有关。反向电压越高，换相振荡过电压也越大。针对形成过电压的不同原因，可以采取不同的抑制方法，如减少过电压源，并使过电压幅值衰减；抑制过电压能量上升的速率，延缓已产生能量的消散速度，增加其消散的途径。
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