北京定制日本京山KYOSAN熔断器 江苏芯钻时代电子科技供应

或进行强制风冷来控制温升使之保持电流通过能力。整流器中快速熔断器接头处的连接状况直接影响着快速熔断器的温升和可靠运行，为此必须保持接触面的平整和清洁。如无镀层的母排的接触面要去除氧化层，安装时给予规定的压紧力，好使接触面产生弹性变形。并联的快速熔断器要求逐个检测接触面的压降。快速熔断器的温升与功耗快速熔断器的功耗W=ΔUIw；ΔU=f(Iw)式中：Iw---工作电流；ΔU---快速熔断器的压降。快速熔断器的功耗与其冷态电阻有很大的关系，选用冷态电阻较小的快速熔断器有利于降低温升，因为电流通过能力主要受温升限制。如前所述，快速熔断器接头处的连接状况也影响着快速熔断器的温升，要求快速熔断器接头处的温升不应影响其相邻器件的工作。实验证明，快速熔断器的温升低于80℃时可以长期运行，温升100℃时制造工艺稳定的产品仍能长期运行，温升120℃是电流通过能力的临界点，若温升达到140℃时，快速熔断器不能长期运行。目前，化工行业一般采用水冷母排和风冷方式来降低快速熔断器的温升。水冷母排尤其对低电压规格的快速熔断器如400～600V效果更佳。快速熔断器端子与水冷母排连接端温差一般在～℃。许多大功率快速熔断器是按水冷条件设计的，所以。

包括电网）都有一定的过载能力，当过载较轻时可以允许较长时间运行，而超过某一过载倍数时，相应要求熔断器在一定时间内熔断。选择熔断器保护过载和短路，必须了解用电设备的过载特性，使这一特性恰当地处在熔断器秒-安特性的保护范围之内。熔断电流Io的熔断时间在理论上是无限大的，称为小融化电流或临界电流，即通过熔体的电流小于临界值就不会熔断。所以选择熔体的额定电流Ie应小于Io；通常取Io与Ie的比值为～，称作熔化系数。该系数反映熔断器在过载时的不同保护特性，如要使熔断器能保护小过载电流，融化系数就应该低些；为了避免电动机起动时的短时过电流使熔体熔化，融化系数就应高些。快速熔器电流通过能力满足系统短路电流的要求后，发生短路故障时可以隔离故障电流，但能否保护所串联的半导体器件则必须分析二者的I2t值。只有当快速熔断器的I2t值小于半导体器件I2t值时，才能对半导体器件起到保护作用。短路故障时I2t值分为两个阶段，即弧前I2t和熔断I2t。熔体金属从固态转为液态的时间是弧前时间，大约～，可以认为是绝热过程，此时间段快速熔断器产生的电流时间积分可以认为是一定值，由设计来确定。弧前I2t值对于不同的材料其值也不同。

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