所述开关机构包括真空接触器2和与真空接触器连接的熔断器装置,所述熔断器装置为上述所述的熔断器装置。具体的,所述熔断器装置位于真空接触器2的正上方,安装筒10的侧向安装开口102朝上设置,便于更换操作。再具体的,本实施例中,高压接触器为三相结构,即具有三组开关机构。当然的,在其他实施例中,开关机构的组数也可以根据实际运用情况进行增减。本实施例中,所述真空接触器2的外壳一体成型有一连接盖3,所述熔断器装置的安装筒10一体成型有第二连接盖13,所述一连接盖3与第二连接盖13相盖合固定,连接真空接触器2和熔断器装置的导电板(未示出)穿设于一连接盖3和第二连接盖13内,能够更好的隔绝保护导电板的结构,设计巧妙。尽管结合实施方案具体展示和介绍了本发明,但所属领域的技术人员应该明白,在不脱离所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围内,在形式上和细节上可以对本发明做出各种变化,均为本发明的保护范围。
整流变电是电解,电镀行业中的重要环节,而快速熔断器在半导体电力整流变电保护中的配置至关重要,一旦设备定型后,快速熔断器的选用会直接影响直流供电的质量和用电的效率等整流变电参数。电力半导体器件热容量小,在故障状态下必须要有快速熔断器保护,而快速熔断器具有与半导体器件类似的热特性,是一种良好的保护器件。本文涉及的是封闭式有填料式快速熔断器,在运行中没有外部现象。1快速熔断器的配置快速熔断器在半导体电力整流器保护中的配置一般分2类。变流臂内部并联支路配置保护式此类型主要用于大功率和超大功率整流器的保护。当变流臂中某一支路器件因某种原因损坏时(每一支路根据设备功率不同,一般并联几对快速熔断器和半导体整流元件串联而成,1对快速熔断器与半导体整流元件),导致与之串联的快速熔断器保护分断后,一般情况下1个器件出故障,并不影响整个整流器的正常运行。目前,半导体电力整流器保护中的配置就属于变流臂内部并联支路配置保护式,运行效果很好。分相配置总体保护式此类型主要用于中、小功率整流器的保护。当某一变流臂中的器件因某种原因损坏时,导致该相快速熔断器保护分断后,整流器的保护将自动切断供电电源,停止向整流器供电。
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