由此形成在腔502的壁上的热氧化物层304可以在衬底和区域306的上表面上连续。在图2e的步骤中,腔502被填充,例如直到衬底的上部水平或者直到接近衬底的上部水平的水平。为此目的,例如执行掺杂多晶硅的共形沉积。然后将多晶硅向下蚀刻至期望水平。因此在区域306的任一侧上获得两个区域302。在图2f的步骤中,去除位于衬底以及区域302和306的上表面上的可能元件,诸如层304的可接近部分。然后形成可能的层42和层40。通过图2a至图2f的方法获得的结构30的变型与图1的结构30的不同之处在于,区域306与区域302分离并且一直延伸到层40或可能的层42,并且该变型包括在区域306的任一侧上的两个区域302。每个区域302与层40电接触。每个区域302通过层304与衬底分离。可以通过与图2a至图2f的方法类似的方法来获得结构30a,其中在图2b和图2c的步骤之间进一步提供方法来形成掩蔽层,该掩蔽层保护位于沟槽22的单侧上的壁上的层308,并且使得层308在沟槽的另一侧上被暴露。在图2c的步骤中获得单个腔502。已描述了特定实施例。本领域技术人员将容易想到各种改变、修改和改进。特别地,结构30和30a及其变体可以被使用在利用衬底上的传导区域通过绝缘层的静电影响的任何电子部件(例如,晶体管)。
从这种电路结构可以得出一个判断结果:C2和VD1这个支路的作用是通过该支路来改变与电容C1并联后的总容量大小,这样判断的理由是:C2和VD1支路与C1上并联后总电容量改变了,与L1构成的LC并联谐振电路其振荡频率改变了。所以,这是一个改变LC并联谐振电路频率的电路。关于二极管电子开关电路分析思路说明如下几点:1)电路中,C2和VD1串联,根据串联电路特性可知,C2和VD1要么同时接入电路,要么同时断开。如果只是需要C2并联在C1上,可以直接将C2并联在C1上,可是串入二极管VD1,说明VD1控制着C2的接入与断开。2)根据二极管的导通与截止特性可知,当需要C2接入电路时让VD1导通,当不需要C2接入电路时让VD1截止,二极管的这种工作方式称为开关方式,这样的电路称为二极管开关电路。3)二极管的导通与截止要有电压控制,电路中VD1正极通过电阻R1、开关S1与直流电压+V端相连,这一电压就是二极管的控制电压。4)电路中的开关S1用来控制工作电压+V是否接入电路。根据S1开关电路更容易确认二极管VD1工作在开关状态下,因为S1的开、关控制了二极管的导通与截止。如表9-42所示是二极管电子开关电路工作原理说明。表9-42二极管电子开关电路工作原理说明在上述两种状态下。
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