由此形成在腔502的壁上的热氧化物层304可以在衬底和区域306的上表面上连续。在图2e的步骤中,腔502被填充,例如直到衬底的上部水平或者直到接近衬底的上部水平的水平。为此目的,例如执行掺杂多晶硅的共形沉积。然后将多晶硅向下蚀刻至期望水平。因此在区域306的任一侧上获得两个区域302。在图2f的步骤中,去除位于衬底以及区域302和306的上表面上的可能元件,诸如层304的可接近部分。然后形成可能的层42和层40。通过图2a至图2f的方法获得的结构30的变型与图1的结构30的不同之处在于,区域306与区域302分离并且一直延伸到层40或可能的层42,并且该变型包括在区域306的任一侧上的两个区域302。每个区域302与层40电接触。每个区域302通过层304与衬底分离。可以通过与图2a至图2f的方法类似的方法来获得结构30a,其中在图2b和图2c的步骤之间进一步提供方法来形成掩蔽层,该掩蔽层保护位于沟槽22的单侧上的壁上的层308,并且使得层308在沟槽的另一侧上被暴露。在图2c的步骤中获得单个腔502。已描述了特定实施例。本领域技术人员将容易想到各种改变、修改和改进。特别地,结构30和30a及其变体可以被使用在利用衬底上的传导区域通过绝缘层的静电影响的任何电子部件(例如,晶体管)。
一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结,有正极和负极两个端子。二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。中文名整流二极管外文名rectifierdiode类别半导体器件特性单方向导电电流流向正极流入,负极流出包含PN结,有正极和负极两个端子损坏原因运行条件恶劣、运行管理欠佳等目录1概述2选用3特性4常用参数5损坏原因6代换7检查方法8常用型号9高频整流二极管的特性与参数整流二极管概述编辑整流二极管(rectifierdiode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。通常它包含一个PN结,有正极和负极两个端子。其结构如图所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成一定的位垒。外加电压使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为),称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。
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