所述漏极区域比所述沟道区域更少地被重掺杂。在一些实施例中,所述漏极区域在所述一沟槽和所述第二沟槽下方延伸。在另一方面,提供了一种二极管。该二极管包括:半导体衬底;阴极和阳极,耦合到所述衬底;一垂直晶体管,位于所述衬底中,所述一垂直晶体管包括:电耦合到所述阳极的一源极区域、垂直延伸到所述衬底中并且电耦合到所述阳极的一栅极、电耦合到所述阴极的一漏极区域、位于所述一源极区域和所述一漏极区域之间的一沟道区域、以及在所述衬底中延伸并且位于所述一栅极和所述一沟道区域之间的一栅极电介质。在一些实施例中,所述栅极是一传导区域,所述一传导区域与所述沟道区域分离一距离,所述二极管进一步包括:第二传导区域,比所述一传导区域更深地延伸到所述衬底中并且与所述漏极区域分离第二距离,所述第二距离大于所述一距离。在一些实施例中,所述二极管进一步包括:第二垂直晶体管,位于所述衬底中。
快速恢复整流二极管和超快恢复整流二极管在开关电源中作为整流器件使用时是否需要散热器,要根据电路的大功率来决定。一般情况下,这些二极管在制造时允许的结温在175℃,生产厂家对该指标都有技术说明,以提供给设计者去计算大的输出工作电流、电压及外壳温度等。肖特基整流二极管即使在大的正向电流作用下,其正向压降也很低,有,而且,随着结温的增加,其正向压降更低,因此,使得肖特基整流二极管特别适用于5V左右的低电压输出电路中。肖特基整流二极管的反向恢复时间是可以忽略不计的,因为此器件是多数载流子半导体器件,在器件的开关过程中,没有少数载流子存贮电荷的问题。肖特基整流二极管有两大缺点:其一,反向截止电压的承受能力较低,产品大约为100V;其二,反向漏电流较大,使得该器件比其他类型的整流器件更容易受热击穿。当然,这些缺点也可以通过增加瞬时过电压保护电路及适当控制结温来克服。表示出了典型的高速整流二极管的特性与参数。
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