他们撞击松的价电子且产生了额外的载流子。因为一个载流子能通过撞击来产生额外的成千上外的载流子就好像一个雪球能产生一场雪崩一样，所以这个过程叫avalanchemultiplication。反向击穿的另一个机制是，它能使粒子在不管有任何障碍存在时都能移动一小段距离。如果耗尽区足够薄，那么载流子就能靠tunneling跳跃过去。Tunneling电流主要取决于耗尽区宽度和结上的电压差。Tunneling引起的反向击穿称为齐纳击穿。结的反向击穿电压取决于耗尽区的宽度。耗尽区越宽需要越高的击穿电压。就如先前讨论的一样，掺杂的越轻，耗尽区越宽，击穿电压越高。当击穿电压低于5伏时，耗尽区太薄了，主要是齐纳击穿。当击穿电压高于5伏时，主要是雪崩击穿。设计出的主要工作于反向导通的状态的PN二极管根据占主导地位的工作机制分别称为齐纳二极管或雪崩二极管。齐纳二极管的击穿电压低于5伏，而雪崩二极管的击穿电压高于5伏。通常工程师们不管他们的工作原理都把他们称为齐纳管。因此主要靠雪崩击穿工作的7V齐纳管可能会使人迷惑不解。实际上，结的击穿电压不仅和它的掺杂特性有关还和它的几何形状有关。以上讨论分析了一种由两种均匀掺杂的半导体区域在一个平面相交的平面结。
发光二极管在植物工厂中的应用越来越广，LED光源的波宽窄、能耗低、体积小、效率高、耐衰老、热耗低的优点，使其成为了众多光质研究人员使用的新光源。至今为止，大量应用LED光源研究光环境对植物宏观的形态、产量、品质的影响，以及对细胞显微结构、植物分化、次生代谢物质的影响的研究层出不穷。[7]发光二极管发光二极管封装件的散热编辑在半导体照明装置中，通常采用高功率高亮度的发光二极管（LED）作为光源，当在发光二极管中通以电流时，电子与空穴会直接复合，从而释放能量发光，其具有功耗小、使用寿命长等优点，在照明领域应用广。然而，目前的光电转换效率较低，有很大比重转化为热能，故LED芯片上的功率密度很。的功率密度对器件的散热也提出了高的要求，发光二极管中封装件散热问题已成为影响其产业化发展的重大问题。[1]发光二极管散热冷却方式LED的散热机构一般有这几种形式：1．利用热传导金属或散热鳍片与LED封装件贴合散热。2．加装风扇强制散热。3．在封装件中设置流通液体散热。4．热管在封装件中的结合，利用热管内工作介质相变时可吸收或散发热能。[1]发光二极管原理与特点热管散热利用物质相变的原理，具有可吸收或散发高热能的特性。
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