所述开关机构包括真空接触器2和与真空接触器连接的熔断器装置，所述熔断器装置为上述所述的熔断器装置。具体的，所述熔断器装置位于真空接触器2的正上方，安装筒10的侧向安装开口102朝上设置，便于更换操作。再具体的，本实施例中，高压接触器为三相结构，即具有三组开关机构。当然的，在其他实施例中，开关机构的组数也可以根据实际运用情况进行增减。本实施例中，所述真空接触器2的外壳一体成型有一连接盖3，所述熔断器装置的安装筒10一体成型有第二连接盖13，所述一连接盖3与第二连接盖13相盖合固定，连接真空接触器2和熔断器装置的导电板(未示出)穿设于一连接盖3和第二连接盖13内，能够更好的隔绝保护导电板的结构，设计巧妙。尽管结合实施方案具体展示和介绍了本发明，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本发明做出各种变化，均为本发明的保护范围。
对于每一种材料它是一个常数。当熔体金属变为蒸气时电弧始燃，在燃弧过程中电流由限流值降至零，此阶段的I2t即为熔断I2t，它是一个变量。这一过程主要依靠填料被腐蚀而吸收能量。在设计快速熔断器时，为满足半导体器件不断提高的额定电流，要采取许多措施，而不能简单地用算术方法来选择快速熔断器。实验证明，当额定电流增加1倍时，快速熔断器的I2t值是原来的4倍，而半导体器件I2t值的增加要小的多。要使快速熔断器降低I2t值有较大的难度，只有多方面采取措施，如合理的熔片分布、缩短熔体长度、减小电弧栅和提高灭弧材料的熄弧能力等。I2t值是精选快速熔断器的重要指标之一。绝缘电阻快速熔断器分断后的绝缘电阻的指标由经验证明是很重要的。20世纪90年代大量的产品中加入了钾盐、钠盐，钠盐可以提高电弧栅的分断能力。而制造较差的快速熔断器分断后绝缘电阻大多低于Ω，甚至有漏电现象，特殊情况下切断故障后经一段时间又重燃，这将引起更大的故障。质量好的快速熔断器（加入了钾盐、钠盐）分断后应形成Ω以上的绝缘电阻。快速熔断器在分断10min后能达到大于1～30MΩ的绝缘电阻，可认为有良好的可靠性。另外，使用快速熔断器时还要考虑其寿命及可靠性。
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