只有可控硅模块能够满足上述条件，才能说明可控硅模块是质量的。当然，判断起来也非常简单，只需要使用万用表的欧姆档测量可控硅的极间电阻。具体的做法就是：用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。接着就是检测可控硅模块的三个PN结是否完好或者损坏，可以用万用表的R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上，若电阻值很小表明可控硅击穿短路。用R×1k或R×100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。反向阻值应很大，但不能为无穷大。正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。基本上来说，通过以上方法就能够判断出可控硅模块的好坏了。
可控硅模块是晶体闸流管(Thyristor)的简称，谷称可控硅模块，它是1种大功率开关型半导体元器件，在线路中用字母符号为“V”、“VT”表达（旧标准中用字母“SCR”表达）。可控硅模块具备硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下运行，且其运行过程可以控制、被普遍使用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子线路中。可控硅模块有很多种分类方法。（一）按关断、导通及控制方式分类可控硅模块按其关断、导通及控制方式可分成普通可控硅模块、双向可控硅、逆导可控硅模块、门极关断可控硅模块（GTO）、BTG可控硅模块、温控可控硅模块和光控可控硅模块等很多种。（二）按引脚和极性分类可控硅模块按其引脚和极性可分成二极可控硅模块、三极可控硅模块和四极可控硅模块。（三）按封装形式分类可控硅模块按其封装形式可分成金属封装可控硅模块、塑封可控硅模块和陶瓷封装可控硅模块3种类型。当中，金属封装可控硅模块又分成螺栓形、平板形、圆壳形等很多种；塑封可控硅模块又分成带散热片型和不带散热片型2种。（四）按电流容量分类可控硅模块按电流容量可分成大功率可控硅、率可控硅模块和小功率可控硅模块3种。通常，大功率可控硅多选用金属壳封装。
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