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    MOS管应用电压的极性和我们普通的晶体三极管相同，N沟道的类似NPN晶体三极管，漏极D接正极，源极S接负极，栅极G正电压时导电沟道建立，N沟道MOS管开始工作,如图二所示。同样P道的类似PNP晶体三极管，漏极D接负极，源极S接正极，栅极G负电压时，导电沟道建立，P沟道MOS管开始工作,如图图四所示；五、MOS管的工作原理。从上图一可以看出增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结。当栅-源电压VGS=0时，即使加上漏-源电压VDS，总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道（没有电流流过），所以这时漏极电流ID=0。此时若在栅-源极间加上正向电压，图二所示，即VGS＞0，则栅极和硅衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个栅极指向P型硅衬底的电场，由于氧化物层是绝缘的，北京进口MOS管报价，栅极所加电压VGS无法形成电流，氧化物层的两边就形成了一个电容，VGS等效是对这个电容充电，并形成一个电场，随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在这个电容的另一边就聚集大量的电子并形成了一个从漏极到源极的N型导电沟道，当VGS大于管子的开启电压VT（一般约为2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID，我们把开始形成沟道时的栅-源极电压称为开启电压，一般用VT表示，北京进口MOS管报价，北京进口MOS管报价。国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）。北京进口MOS管报价

    如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的忌讳的错误；（本次产品测试问题点虽然不是出在电路设计上，但BOM做错比设计错误往往更难分析）2、频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了；3、没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片；4、MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。总结二：MOS管工作状态分析MOS管工作状态有四种，开通过程、导通状态、关断过程，截止状态；MOS管主要损耗：开关损耗，导通损耗，截止损耗，还有雪崩能量损耗，开关损耗往往大于后者；MOS管主要损坏原因：过流（持续大电流或瞬间超大电流），过压（D-S，G-S被击穿），静电（个人认为可属于过压）；总结三：MOS管工作过程分析MOS管工作过程非常复杂，里面变量很多，总之开关慢不容易导致米勒震荡（介绍米勒电容，米勒效应等，很详细），但开关损耗会加大。浙江优势MOS管值得推荐mos管的输入端加有控制电极以使mos管的导通状态受控制而稳定下来。

    所剩的思路就是如何将阻断高电压的低掺杂、高电阻率区域和导电通道的高掺杂、低电阻率分开解决。如除导通时低掺杂的高耐压外延层对导通电阻只能起增大作用外并无其他用途。这样，是否可以将导电通道以高掺杂较低电阻率实现，而在MOS管关断时，设法使这个通道以某种方式夹断，使整个器件耐压取决于低掺杂的N-外延层。基于这种思想，1988年INFINEON推出内建横向电场耐压为600V的COOLMOS管，使这一想法得以实现。内建横向电场的高压MOS管的剖面结构及高阻断电压低导通电阻的示意图如图所示。与常规MOS管结构不同，内建横向电场的MOS管嵌入垂直P区将垂直导电区域的N区夹在中间，使MOS管关断时，垂直的P与N之间建立横向电场，并且垂直导电区域的N掺杂浓度高于其外延区N-的掺杂浓度。当VGS＜VTH时，由于被电场反型而产生的N型导电沟道不能形成，并且D，S间加正电压，使MOS管内部PN结反偏形成耗尽层，并将垂直导电的N区耗尽。这个耗尽层具有纵向高阻断电压，如图（b）所示，这时器件的耐压取决于P与N-的耐压。因此N-的低掺杂、高电阻率是必需的。MOS管导通过程导通时序可分为to~t1、t1~t2、t2~t3、t3~t4四个时间段，这四个时间段有不同的等效电路。：CGS1开始充电。

    mos管导通电阻的作用mos管导通电阻，一般在使用MOS时都会遇到栅极的电阻选择和使用问题，但有时对这个电阻很迷茫，现介绍一下它的作用：1.是分压作用2.下拉电阻是尽快泄放栅极电荷将MOS管尽快截止3.防止栅极出现浪涌过压（栅极上并联的稳压管也是防止过压产生）4.全桥栅极电阻也是同样机理，尽快泄放栅极电荷，将MOS管尽快截止。避免栅极悬空，悬空的栅极MOS管将会导通，导致全桥短路5.驱动管和栅极之间的电阻起到隔离、防止寄生振荡的作用降低高压MOS管导通电阻的原理与方法1.不同耐压的MOS管的导通电阻分布。不同耐压的MOS管，其导通电阻中各部分电阻比例分布也不同。如耐压30V的MOS管，其外延层电阻为总导通电阻的29%，耐压600V的MOS管的外延层电阻则是总导通电阻的。由此可以推断耐压800V的MOS管的导通电阻将几乎被外延层电阻占据。欲获得高阻断电压，就必须采用高电阻率的外延层，并增厚。这就是常规高压MOS管结构所导致的高导通电阻的根本原因。2.降低高压MOS管导通电阻的思路。增加管芯面积虽能降低导通电阻，但成本的提高所付出的代价是商业品所不允许的。引入少数载流以上两种办法不能降低高压MOS管的导通电阻。其优点是效率高（可达80%）、抗辐射能力强以及耐高温性能好。

    一、什么是MOS管？MOS管全称金属—氧化物—半导体场效应晶体管或称金属—绝缘体—半导体场效应晶体管，英文名metaloxidesemiconductor，属于场效应管中的绝缘栅型，因此，MOS管有时候又称为绝缘栅场效应管。二、MOS管的构造。MOS管这个器件有两个电极，分别是漏极D和源极S，无论是图一的N型还是图二的P型都是一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+/P+区，并用金属铝引出漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的N/P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N/P沟道（NPN型）增强型MOS管。三、MOS管的特性。MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好；制造工艺简单、辐射强，因而通常被用于放大电路或开关电路。四、MOS管的电压极性和符号规则:图一是N沟道MOS管的符号，图中D是漏极，S是源极，G是栅极，中间的箭头表示衬底，如果箭头向里表示是N沟道的MOS管，箭头向外表示是P沟道的MOS管。在实际MOS管生产的过程中衬底在出厂前就和源极连接，所以在符号的规则中；表示衬底的箭头也必须和源极相连接，以区别漏极和源极。图三是P沟道MOS管的符号。MOS管的输入电阻极大，兆欧级的，容易驱动，但是价格比三极管要高。浙江优势MOS管值得推荐

场效应管分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管，属于绝缘栅场效应管。北京进口MOS管报价

    而用开启电压VT表征管子的特性。N沟道耗尽型MOS管的基本结构（1）结构：N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似。（2）区别：耗尽型MOS管在vGS=0时，漏——源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。（3）原因：制造N沟道耗尽型MOS管时，在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子)，如图1(a)所示，因此即使vGS=0时，在这些正离子产生的电场作用下，漏——源极间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道)，只要加上正向电压vDS，就有电流iD。如果加上正的vGS，栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子，沟道加宽，沟道电阻变小，iD增大。反之vGS为负时，沟道中感应的电子减少，沟道变窄，沟道电阻变大，iD减小。当vGS负向增加到某一数值时，导电沟道消失，iD趋于零，管子截止，故称为耗尽型。沟道消失时的栅－源电压称为夹断电压，仍用VP表示。与N沟道结型场效应管相同，N沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP也为负值，但是，前者只能在vGS0，VP（4）电流方程：在饱和区内，耗尽型MOS管的电流方程与结型场效应管的电流方程相同，即：各种场效应管特性比较P沟MOS晶体管金属氧化物半导体场效应。北京进口MOS管报价

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