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    由于LC并联谐振电路中的电容不同，一种情况只有C1，另一种情况是C1与C2并联，在电容量不同的情况下LC并联谐振电路的谐振频率不同。所以，VD1在电路中的真正作用是控制LC并联谐振电路的谐振频率。关于二极管电子开关电路分析细节说明下列二点：1）当电路中有开关件时，电路的分析就以该开关接通和断开两种情况为例，分别进行电路工作状态的分析。所以，电路中出现开关件时能为电路分析提供思路。2）LC并联谐振电路中的信号通过C2加到VD1正极上，但是由于谐振电路中的信号幅度比较小，所以加到VD1正极上的正半周信号幅度很小，不会使VD1导通。3．故障检测方法和电路故障分析如图9-47所示是检测电路中开关二极管时接线示意图，在开关接通时测量二极管VD1两端直流电压降，应该为，如果远小于这个电压值说明VD1短路，如果远大小于这个电压值说明VD1开路。另外，如果没有明显发现VD1出现短路或开路故障时，可以用万用表欧姆档测量它的正向电阻，要很小，否则正向电阻大也不好。图9-47检测电路中开关二极管时接线示意图如果这一电路中开关二极管开路或短路，都不能进行振荡频率的调整。开关二极管开路时，电容C2不能接入电路，此时振荡频率升高；开关二极管短路时。

    由此形成在腔502的壁上的热氧化物层304可以在衬底和区域306的上表面上连续。在图2e的步骤中，腔502被填充，例如直到衬底的上部水平或者直到接近衬底的上部水平的水平。为此目的，例如执行掺杂多晶硅的共形沉积。然后将多晶硅向下蚀刻至期望水平。因此在区域306的任一侧上获得两个区域302。在图2f的步骤中，去除位于衬底以及区域302和306的上表面上的可能元件，诸如层304的可接近部分。然后形成可能的层42和层40。通过图2a至图2f的方法获得的结构30的变型与图1的结构30的不同之处在于，区域306与区域302分离并且一直延伸到层40或可能的层42，并且该变型包括在区域306的任一侧上的两个区域302。每个区域302与层40电接触。每个区域302通过层304与衬底分离。可以通过与图2a至图2f的方法类似的方法来获得结构30a，其中在图2b和图2c的步骤之间进一步提供方法来形成掩蔽层，该掩蔽层保护位于沟槽22的单侧上的壁上的层308，并且使得层308在沟槽的另一侧上被暴露。在图2c的步骤中获得单个腔502。已描述了特定实施例。本领域技术人员将容易想到各种改变、修改和改进。特别地，结构30和30a及其变体可以被使用在利用衬底上的传导区域通过绝缘层的静电影响的任何电子部件(例如，晶体管)。